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TLE4250G 数据手册 - Siemens Semiconductor（西门子）
制造商:
Siemens Semiconductor（西门子）
封装:
SCT-595-5
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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TLE4250G数据手册
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TLE 4250 G
Data Sheet Rev. 2.2 7 2000-10-04
Figure 3 Application Circuit
Power-Supply-Ripple-
Rejection
PSRR
– 60 – dB f
r
= 100 Hz
V
r
= 0.5 V
PP
Adjust/Enable Input
Input biasing current
I
ADJ
– 0.1 0.5 µµA V
ADJ
= 5 V
Adjust low voltage to
disable
V
ADJ
––0.8 V T
j
< 125 °C
V
Q
off
Adjust range
V
ADJ
2.0 – 36 V V
Q
– V
ADJ
<25mV
T
j
< 125 °C
Electrical Characteristics (cont’d)
V
I
= 13.5 V; V
ADJ
>2.5V; – 40 °C<T
j
<150°C; unless otherwise specified
Parameter Symbol Limit Values Unit Test Condition
min. typ. max.
AES02583
-
+
TLE 4250G
3Ι
2, 5
4Q
1 ADJ
C
1
µ
Q
F
100 nF
C
Ι
TLE 4470
TLE 4270
TLE 4478
100 nF
Ι
V V
Q
V
CC
e.g. to sensor
6 ... 40 V
I/O
ADJ
V
5 V
C
µ
5 V
GND
e.g.
R
2.2
Q
Ω
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