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TLE4966L
0.395
TLE4966L 数据手册 (16 页)
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TLE4966L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
4 Pin
电源电压
2.70V (min)
封装
P-SSO-3-2
额定功率
0.072 W
输出电压
18 V
输出电流
10 mA
供电电流
7 mA
针脚数
4 Position
功耗
72 mW
输出电流(Max)
10 mA
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2.7V ~ 18V
电源电压(Max)
18 V
电源电压(Min)
2.7 V

TLE4966L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
长度
5.34 mm
宽度
1 mm
高度
3.38 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃

TLE4966L 数据手册

Infineon(英飞凌)
16 页 / 0.62 MByte
Infineon(英飞凌)
60 页 / 10.99 MByte
Infineon(英飞凌)
17 页 / 0.59 MByte
Infineon(英飞凌)
17 页 / 1.28 MByte
Infineon(英飞凌)
22 页 / 1.31 MByte

TLE4966 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  TLE4966L  霍尔效应传感器, Direction Detection Sensor, 10 mA, SSO, 4 引脚, 2.7 V, 18 V
Infineon(英飞凌)
Infineon TLE4966KHTSA1 霍尔效应传感器开关, 双极磁场, 10.3 mT, 2.7 → 26 V电源, 6引脚
Infineon(英飞凌)
Infineon标准型和闩锁型操作中使用大量 Infineon 霍尔效应开关 IC。### 霍尔效应传感器,Infineon一系列 Infineon 集成电路利用霍尔效应实施非接触切换和感应功能。 霍尔效应集成电路分为三个基本类别:线性传感器、开关和闩锁。 线性传感器具有与磁场强度成比例的线性模拟输出,而霍尔效应开关和闩锁具有一个开关输出,可通过磁场接近激活。 闩锁开关需要相反极性的磁场来分别激活和停用开关输出。 霍尔效应开关还具有 2 线电流水平操作。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  TLE4966LHALA1  霍尔效应传感器, Direction Detection Sensor, 10 mA, SSO, 4 引脚, 2.7 V, 18 V
Infineon(英飞凌)
Infineon TLE49663KHTSA1 霍尔效应传感器, 单极磁场, 4.2 mT, 2.7 → 24 V电源, 6引脚 TSOP封装
Infineon(英飞凌)
高精度霍尔效应开关 High Precision Hall-Effect Switch
Infineon(英飞凌)
霍尔效应开关, 高精密, 锁定式, 0.0025 T, -0.0025 T, 3.5 V, 32 V, TSOP
Infineon(英飞凌)
霍尔效应锁存
Infineon(英飞凌)
霍尔效应开关,Infineon标准型和闩锁型操作中使用大量 Infineon 霍尔效应开关 IC。### 霍尔效应传感器,Infineon一系列 Infineon 集成电路利用霍尔效应实施非接触切换和感应功能。 霍尔效应集成电路分为三个基本类别:线性传感器、开关和闩锁。 线性传感器具有与磁场强度成比例的线性模拟输出,而霍尔效应开关和闩锁具有一个开关输出,可通过磁场接近激活。 闩锁开关需要相反极性的磁场来分别激活和停用开关输出。 霍尔效应开关还具有 2 线电流水平操作。
Infineon(英飞凌)
高精度霍尔开关具有两个输出 High Precision Hall Switch with two Outputs
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