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TLV2376IDR
器件3D模型
1.348
TLV2376IDR 数据手册 (34 页)
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TLV2376IDR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
供电电流
815 µA
电路数
2 Circuit
针脚数
8 Position
共模抑制比
72 dB
输入补偿漂移
1.00 µV/K
带宽
5.5 MHz
转换速率
2.00 V/μs
增益频宽积
5.5 MHz
输入补偿电压
0.1 mV
输入偏置电流
0.0000003 μA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
共模抑制比(Min)
72 dB

TLV2376IDR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-40℃ ~ 125℃

TLV2376IDR 数据手册

TI(德州仪器)
34 页 / 1.3 MByte

TLV2376 数据手册

TI(德州仪器)
TLVx376 低噪声、低静态电流、精密运算放大器
TI(德州仪器)
TLV2376IDR 编带
TI(德州仪器)
双路 5.5MHz、100µV 失调电压、8nV/√Hz 噪声、815µA 功耗、精密运算放大器 8-VSSOP -40 to 125
TI(德州仪器)
双路 5.5MHz、100µV 失调电压、8nV/√Hz 噪声、815µA 功耗、精密运算放大器 8-VSSOP -40 to 125
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