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器件3D模型
¥ 1.348
TLV2376IDR 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
运算放大器
封装:
SOIC-8
描述:
TLV2376IDR 编带
Pictures:
3D模型
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焊盘图
引脚图
产品图
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TLV2376IDR 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
供电电流
815 µA
电路数
2 Circuit
针脚数
8 Position
共模抑制比
72 dB
输入补偿漂移
1.00 µV/K
带宽
5.5 MHz
转换速率
2.00 V/μs
增益频宽积
5.5 MHz
输入补偿电压
0.1 mV
输入偏置电流
0.0000003 μA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
共模抑制比(Min)
72 dB
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TLV2376IDR 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-40℃ ~ 125℃
查看数据手册 >
TLV2376IDR 符合标准
TLV2376IDR 概述
●
CMOS 放大器 2 电路 差分,满摆幅 8-SOIC
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