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TLV333IDR
器件3D模型
1.729
TLV333IDR 数据手册 (37 页)
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TLV333IDR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
供电电流
17 µA
电路数
1 Circuit
共模抑制比
102 dB
输入补偿漂移
20.0 nV/K
转换速率
160 mV/μs
增益频宽积
0.35 MHz
输入补偿电压
0.015 mV
输入偏置电流
0.00007μA @5.5V
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
共模抑制比(Min)
102 dB

TLV333IDR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 125℃

TLV333IDR 数据手册

TI(德州仪器)
37 页 / 1.02 MByte
TI(德州仪器)
5 页 / 0.32 MByte
TI(德州仪器)
54 页 / 1.31 MByte

TLV333 数据手册

TI(德州仪器)
TLVx333 零漂移 CMOS 运算放大器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  TLV333IDCKR  运算放大器, 零漂移, 350 kHz, 1个放大器, 0.16 V/µs, ± 0.9V至± 2.75V, 1.8V至5.5V, SC-70, 5 引脚
TI(德州仪器)
适用于成本敏感型系统的单路、350kHz、低噪声、 RRIO、CMOS 运算放大器 5-SOT-23 -40 to 125
TI(德州仪器)
TLV333IDBVT 编带
TI(德州仪器)
TLV333IDR 编带
TI(德州仪器)
适用于成本敏感型系统的单路、350kHz、低噪声、 RRIO、CMOS 运算放大器 5-SC70 -40 to 125
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