￥ 0.111

2N5460G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

JFET晶体管

封装:

TO-226-3

描述:

JFET放大器P沟道 - 耗尽 JFET Amplifier P−Channel − Depletion

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

2N5460G 数据手册 (5 页)

封装尺寸在5 页

2N5460G 数据手册 (5 页)

查看文档

或点击图片查看大图

2N5460G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-40.0 V

额定电流

10.0 mA

封装

TO-226-3

极性

P-Channel

功耗

350 mW

栅源击穿电压

40.0 V

击穿电压

40 V

输入电容值(Ciss)

7pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

350 mW

工作温度(Max)

135 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

350 mW

查看数据手册 >

2N5460G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Bulk

工作温度

-65℃ ~ 135℃ (TJ)

查看数据手册 >

2N5460G 符合标准

2N5460G 海关信息

2N5460G 概述

2N5460G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.05 MByte

2N5460G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.05 MByte

2N5460 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

JFET放大器P沟道 - 耗尽 JFET Amplifier P−Channel − Depletion

2N5460 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

P沟道通用放大器 P-Channel General Purpose Amplifier

2N5460 数据手册

Central Semiconductor

Motorola（摩托罗拉）

Vishay Siliconix

NTE Electronics

Intersil（英特矽尔）

N沟道JFET N-CHANNEL JFET

2N5460 数据手册

InterFET

2N5460 数据手册

SI Tech

2N5460 数据手册

Solitron Devices

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号