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TLV4316IDR
器件3D模型
1.052
TLV4316IDR 数据手册 (37 页)
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TLV4316IDR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
14 Pin
封装
SOIC-14
供电电流
400 µA
电路数
4 Circuit
通道数
4 Channel
针脚数
14 Position
共模抑制比
72dB ~ 90dB
输入补偿漂移
2.00 µV/K
带宽
10 MHz
转换速率
6.00 V/μs
增益频宽积
10 MHz
输入补偿电压
750 µV
输入偏置电流
0.00001μA @5.5V
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
共模抑制比(Min)
72 dB
电源电压
1.8V ~ 5.5V
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
1.8 V

TLV4316IDR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

TLV4316IDR 数据手册

TI(德州仪器)
37 页 / 1.72 MByte

TLV4316 数据手册

TI(德州仪器)
TLVx316 10MHz、低噪声、RRIO、CMOS 运算放大器
TI(德州仪器)
适用于成本敏感型系统的 4 通道、10MHz、低噪声、RRIO 运算放大器 14-TSSOP -40 to 125
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  TLV4316IDR  运算放大器, RRIO, 4个放大器, 10 MHz, 6 V/µs, 1.8V 至 5.5V, ± 900mV 至 ± 2.75V, SOIC, 14 引脚 新
TI(德州仪器)
AEC-Q100、4 通道、10MHz、RRIO、低噪声、低电压、1.8V CMOS 运算放大器 14-TSSOP -40 to 125
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