￥ 0.142

TP0610K-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

P沟道60 V （D -S ）的MOSFET P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

TP0610K-T1-E3 数据手册 (7 页)

封装尺寸在5 页

TP0610K-T1-E3 数据手册 (7 页)

查看文档

或点击图片查看大图

TP0610K-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

6 Ω

极性

P-Channel

功耗

0.35 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

-185 mA

输入电容值(Ciss)

23pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

350 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

350 mW

查看数据手册 >

TP0610K-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

最小包装数量

3000

查看数据手册 >

TP0610K-T1-E3 符合标准

TP0610K-T1-E3 概述

TP0610K-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

7 页 / 0.17 MByte

TP0610K-T1-E3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

14 页 / 0.17 MByte

TP0610KT1 数据手册

TP0610K-T1 数据手册

Vishay Siliconix

TP0610K-T1 数据手册

VISHAY（威世）

TP0610K-T1 数据手册

Vishay Intertechnology

TP0610K-T1 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

TP0610K-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

二极管与整流器

TP0610K-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

P沟道60 V （D -S ）的MOSFET P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

TP0610K-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix

TP0610K-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

TP0610K-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY TP0610K-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -185mA, SOT-23, 整卷

TP0610K-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY TP0610K-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -185 mA, -60 V, 10 ohm, -4.5 V, -2 V

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号