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TP0610K-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23

描述:

VISHAY TP0610K-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -185mA, SOT-23, 整卷

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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TP0610K-T1-E3 数据手册 (9 页)

封装尺寸在5 页 6 页

TP0610K-T1-E3 数据手册 (9 页)

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TP0610K-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23

针脚数

3 Position

漏源极电阻

6 Ω

极性

P-Channel

功耗

350 mW

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

-185 mA

输入电容值(Ciss)

23pF @25V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

350 mW

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TP0610K-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.04 mm

高度

1.02 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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TP0610K-T1-E3 符合标准

TP0610K-T1-E3 海关信息

TP0610K-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

9 页 / 0.2 MByte

TP0610K-T1-E3 其他数据使用手册

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