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TP0610K-T1-GE3
0.14
TP0610K-T1-GE3 数据手册 (8 页)
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TP0610K-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-23-3
功耗
350mW (Ta)
漏源极电压(Vds)
60 V
输入电容值(Ciss)
23pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
350mW (Ta)

TP0610K-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

TP0610K-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix
8 页 / 0.2 MByte
Vishay Siliconix
8 页 / 0.2 MByte

TP0610KT1 数据手册

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Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  TP0610K-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -185 mA, -60 V, 10 ohm, -4.5 V, -2 V
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