TPCP8006 数据手册 - Toshiba（东芝）

●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | ±12V 最大漏极电流Id Drain Current | 9.1A 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State | VGS = 2.5 V, ID = 4.5 A RDS=9.5~13.7mΩ VGS = 4.5 V, ID = 4.5 A RDS=6.5~10mΩ 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.5~1.2v 耗散功率Pd Power dissipation | 0.84w 描述与应用 Description & Applications | 　　东芝硅n沟道MOS场效应晶体管类型(U-MOS IV) 　　笔记本电脑的应用 　　便携式设备的应用程序 　　低漏源极导通电阻:RDS(ON)= 6.5 mΩ(typ)。 　　高向前转移导纳:| yfs | = 36s(typ)。 　　低漏电流:IDSS = 10μA(max)(VDS = 20 V) 　　增强模式:Vth = 0.5~1.2 V(VDS = 10 V,ID = 1 mA)