TTB002 数据手册 - Toshiba（东芝）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -60v \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | -60V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | -3A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 9MHZ 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 100~250 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | -1.7V 耗散功率PcPoWer Dissipation | 30W Description & Applications | TOSHIBA Transistor Silicon PNP Diffused Type (PCT process).

● Audio Frequency Power Amplifier Application

● Low collector saturation voltage : VCE (sat)= ??0.5 V (max)

● High power dissipation : PC = 30 W (Tc = 25°C) 描述与应用 | 东芝晶体管的硅PNP的扩散类型（PCT程序）。

●音频功放应用

●低集电极饱和电压VCE（sat）=-0.5 V（最大值）

●高功耗PC =30 W（TC= 25°C）