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TPS51716 数据手册 - TI（德州仪器）
制造商:
TI（德州仪器）
描述:
完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压
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TPS51716数据手册
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TPS51716
TPS51716
www.ti.com.cn
ZHCSAF5 –OCTOBER 2012
完完整整的的 DDR2，，DDR3，，DDR3L 和和 LPDDR3 内内存存电电源源解解决决方方案案
具具有有经经缓缓冲冲基基准准的的同同步步降降压压控控制制器器，，2A 低低压压降降稳稳压压器器 (LDO)
查查询询样样品品: TPS51716
1
特特性性
说说明明
2
• 同同步步降降压压控控制制器器 (VDDQ)
TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个针对
DDR2，DDR3，DDR3L 和 LPDDR3 内存系统的完整
– 转转换换电电压压范范围围：：3V 至至 28V
电源。 它集成了同步降压稳压器控制器 (VDDQ)，此
– 输输出出电电压压范范围围：：0.7V 至至 1.8V
控制器具有 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和经缓
– 0.8% V
REF
精精度度
冲的低噪声基准 (VTTREF)。 TPS51716 采用与
– D-CAP2™ 针针对对陶陶瓷瓷输输出出电电容容器器的的模模式式
500kHz 或 670kHz 工作频率相耦合的 D-CAP2™ 模
– 可可选选 500kH/670kHz 开开关关频频率率
式，此模式在无需外部补偿电路的情况下可支持陶瓷输
– 自自动动跳跳跃跃功功能能优优化化了了轻轻负负载载和和重重负负载载时时的的效效率率
出电容器。 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达
– 支支持持 S4/S5 状状态态中中的的软软启启动动
0.8%。 能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的
– 过过流流 (OCL) / 过过压压 (OVP) / 欠欠压压 (UVP) / 欠欠压压闭闭
VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。 此外，此器件特有一
锁锁 (UVLO) 保保护护
个专用的 LDO 电源输入。
– 电电源源正正常常输输出出
• 2A LDO(VTT)，，经经缓缓冲冲基基准准 (VTTREF)
TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性
– 2A（（峰峰值值））灌灌电电流流和和拉拉电电流流
能。 它支持灵活功率级控制，将 VTT 置于 S3 中的高
– 只只需需 10μF 陶陶瓷瓷输输出出电电容容器器
阻抗状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ，VTT 和
– 经经缓缓冲冲的的，，低低噪噪声声，，10mA VTTREF 输输出出
VTTREF 放电（软关闭）。 它包括具有低侧 MOSFET
– 0.8% VTTREF，，20mV VTT 精精度度
R
DS（接通）
感测的可编程 OCL，OVP/UVP/UVLO 和热
– 在在 S3 中中支支持持高高阻阻抗抗 (High-Z) 而而在在 S4/S5 中中支支
关断保护。
持持软软关关闭闭
TPS51716 从 TI 出厂时采用 20引脚，3mm x 3mm
• 热热关关断断
QFN 封装并且其额定环境温度范围介于 -40°C 至
• 20 引引脚脚，，3mm x 3mm，，四四方方扁扁平平无无引引线线 (QFN)
85°C 之间。
封封装装
应应用用范范围围
• DDR2/DDR3/DDR3L/LPDDR3 内内存存电电源源
• SSTL_18，，SSTL_15，，SSTL_135 和和 HSTL 终终止止
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.
2D-CAP2, NexFET are trademarks of Texas Instruments.
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.
Copyright © 2012, Texas Instruments Incorporated
Products conform to specifications per the terms of the Texas
Instruments standard warranty. Production processing does not English Data Sheet: SLUSB94
necessarily include testing of all parameters.
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