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器件3D模型￥ 2.39
TS27M2BIDT 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）
制造商:
ST Microelectronics（意法半导体）
分类:
运算放大器
封装:
SO-8
描述:
TS27L2，TS27L4，TS27M2，微型电源，高电压 CMOS 运算放大器TS27L2、TS27M2（双路）和 TS27L4（四路）CMOS 运算放大器提供极佳的速率消耗比率。低功耗：10 μA/amp（TS27L2，TS27L4），150 μA/amp (TS27M2) 极佳的电容性负载相位裕度 输出电压可摆幅至接地 电源电压：3 V 至 16 V ### 运算放大器，STMicroelectronics
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TS27M2BIDT数据手册
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Electrical characteristics TS27M2, TS27M2A, TS27M2B
4/14 Doc ID 2306 Rev 2
2 Electrical characteristics
Table 3. Electrical characteristics at V
CC
+ = +10 V, V
CC
- = 0 V, T
amb
= +25° C
(unless otherwise specified)
Symbol Parameter
TS27M2xC
TS27M2xI
TS27M2xM
Unit
Min. Typ. Max. Min. Typ. Max.
DC performance
V
io
Input offset voltage
V
O
= 1.4 V, V
ic
= 0 V TS27M2
TS27M2A
TS27M2B
T
min
≤ T
amb
≤ T
max
TS27M2
TS27M2A
TS27M2B
1.1
0.9
0.25
10
5
2
12
6.5
3
1.1
0.9
0.25
10
5
2
12
6.5
3.5
mV
DV
io
Input offset voltage drift 2 2 µV/°C
I
io
Input offset current
(1)
V
ic
= 5 V, V
O
= 5 V
T
min
≤ T
amb
≤ T
max
1
100
1
200
pA
I
ib
Input bias current
(1)
V
ic
= 5 V, V
O
= 5 V
T
min
≤ T
amb
≤ T
max
1
150
1
300
pA
V
OH
High level output voltage
V
id
= 100 mV, R
L
= 100 lΩ
T
min
≤ T
amb
≤ T
max
8.7
8.6
8.9 8.7
8.5
8.9
V
V
OL
Low level output voltage
V
id
= -100 mV 50 50
mV
A
vd
Large signal voltage gain
V
iC
= 5 V, R
L
= 100 kΩ, V
o
= 1 V to 6 V
T
min
≤ T
amb
≤ T
max
30
20
50 30
10
50
V/mV
CMR
Common mode rejection ratio
V
iC
= 1V to 7.4V, V
o
= 1.4 V 65 80 65 80
dB
SVR
Supply voltage rejection ratio
V
CC
+
= 5 V to 10 V, V
o
= 1.4 V 60 80 60 80
dB
I
CC
Supply current (per amplifier)
A
v
= 1, no load, V
o
= 5 V
T
min
≤ T
amb
≤ T
max
150 200
250
150 200
300
µA
I
o
Output short circuit current
V
o
= 0 V, V
id
= 100 mV
45 60 60 mA
I
sink
Output sink current
V
o
= V
CC
, V
id
= -100 mV
34 45 45 mA
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