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器件3D模型
¥ 1.244
UCC27211DPRT 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
FET驱动器
封装:
WDFN-10
描述:
TEXAS INSTRUMENTS UCC27211DPRT 驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 8V-17V电源, 4A输出, 17ns延迟, WSON-10
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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UCC27211DPRT 数据手册 (39 页)
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UCC27211DPRT 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
10 Pin
电源电压
8.00V (min)
封装
WDFN-10
上升/下降时间
7.2ns, 5.5ns
输出接口数
2 Output
针脚数
10 Position
上升时间
600 ns
下降时间
400 ns
下降时间(Max)
400 ns
上升时间(Max)
600 ns
工作温度(Max)
140 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
8V ~ 17V
电源电压(Max)
17 V
电源电压(Min)
8 V
查看数据手册 >
UCC27211DPRT 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
长度
4.1 mm
宽度
4.1 mm
高度
0.75 mm
工作温度
-40℃ ~ 140℃
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UCC27211DPRT 符合标准
UCC27211DPRT 海关信息
UCC27211DPRT 概述
●
MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器,Texas Instruments
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UCC27211DPRT 数据手册
UCC27211DPRT
数据手册
TI(德州仪器)
39 页 / 1.53 MByte
UCC27211DPRT
其他数据使用手册
TI(德州仪器)
3 页 / 0.18 MByte
UCC27211DPRT
产品修订记录
TI(德州仪器)
4 页 / 0.16 MByte
UCC27211 数据手册
UCC27211
DDAR
数据手册
TI(德州仪器)
120 -V启动, 4 - A峰值,高频高侧/低侧驱动器 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side/Low-Side Driver
UCC27211
DR
数据手册
TI(德州仪器)
120 -V启动, 4 - A峰值,高频高侧和低侧驱动器 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side and Low-Side Driver
UCC27211
DRMT
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS UCC27211DRMT 驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 8V-17V电源, 4A输出, 17ns延迟, VSON-8
UCC27211
DPRT
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS UCC27211DPRT 驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 8V-17V电源, 4A输出, 17ns延迟, WSON-10
UCC27211
DDA
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS UCC27211DDA 高压侧, 低压侧驱动器, 高压侧和低压侧, 8V-17V电源, 4A输出, 18ns延迟, SOIC-8
UCC27211
DPRR
数据手册
TI(德州仪器)
120 -V启动, 4 - A峰值,高频高侧和低侧驱动器 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side and Low-Side Driver
UCC27211
ADRMT
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS UCC27211ADRMT 驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 8V-17V电源, 4A输出, 5ns延迟, VSON-8
UCC27211
DRMR
数据手册
TI(德州仪器)
120 -V启动, 4 - A峰值,高频高侧/低侧驱动器 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side/Low-Side Driver
UCC27211
D
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS UCC27211D 驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 8V-17V电源, 4A输出, 17ns延迟, SOIC-8
UCC27211
AQDDARQ1
数据手册
TI(德州仪器)
具有 8V UVLO 和负电压处理能力的汽车类 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-SO PowerPAD -40 to 140
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