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UCC27423D
器件3D模型
0.687
UCC27423D 数据手册 (1 页)
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UCC27423D 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
4.00V (min)
封装
SOIC-8
上升/下降时间
20ns, 15ns
输出接口数
2 Output
输出电压
330 mV
输出电流
4.00 A
通道数
2 Channel
针脚数
8 Position
功耗
650 mW
上升时间
40 ns
输出电压(Max)
450 mV
下降时间
40 ns
下降时间(Max)
40 ns
上升时间(Max)
40 ns
工作温度(Max)
105 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
650 mW
电源电压
4V ~ 15V
电源电压(Max)
15 V
电源电压(Min)
4 V

UCC27423D 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
4.9 mm
宽度
3.91 mm
高度
1.58 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

UCC27423D 数据手册

TI(德州仪器)
1 页 / 0.71 MByte
TI(德州仪器)
34 页 / 1.81 MByte

UCC27423 数据手册

TI(德州仪器)
具有启动的双路 4A MOSFET 驱动器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  UCC27423D  双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 4A输出, 35ns延迟, SOIC-8
TI(德州仪器)
双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable
TI(德州仪器)
MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable
TI(德州仪器)
用启用双4 -A高速低侧MOSFET驱动器 DUAL 4-A HIGH-SPEED LOW-SIDE MOSFET DRIVERS WITH ENABLE
TI(德州仪器)
双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable
TI(德州仪器)
双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 DUAL 4-A HIGH-SPEED LOW-SIDE MOSFET DRIVER WITH ENABLE
TI(德州仪器)
用启用双4 -A高速低侧MOSFET驱动器 DUAL 4-A HIGH-SPEED LOW-SIDE MOSFET DRIVERS WITH ENABLE
TI(德州仪器)
双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable
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