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器件3D模型
¥ 1.197
UCC27425DR 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
FET驱动器
封装:
SOIC-8
描述:
双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
UCC27425DR 数据手册 (30 页)
封装尺寸
在
19 页
20 页
22 页
23 页
原理图
在
1 页
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UCC27425DR 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
上升/下降时间
20ns, 15ns
输出接口数
2 Output
输出电流
4 A
功耗
650 mW
上升时间
20 ns
下降时间
15 ns
下降时间(Max)
40 ns
上升时间(Max)
40 ns
工作温度(Max)
105 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
650 mW
电源电压
4V ~ 15V
电源电压(Max)
15 V
电源电压(Min)
4 V
查看数据手册 >
UCC27425DR 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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UCC27425DR 符合标准
UCC27425DR 海关信息
UCC27425DR 数据手册
UCC27425DR
数据手册
TI(德州仪器)
30 页 / 1.42 MByte
UCC27425DR
其他数据使用手册
TI(德州仪器)
34 页 / 1.81 MByte
UCC27425 数据手册
UCC27425
数据手册
TI(德州仪器)
具有使能端的双路 4A MOSFET 驱动器
UCC27425
DR
数据手册
TI(德州仪器)
双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable
UCC27425
D
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS UCC27425D 驱动器, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 4A输出, SOIC-8
UCC27425
P
数据手册
TI(德州仪器)
MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
UCC27425
DGN
数据手册
TI(德州仪器)
双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable
UCC27425
DGNR
数据手册
TI(德州仪器)
双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable
UCC27425
QDRQ1
数据手册
TI(德州仪器)
用启用双4 -A高速低侧MOSFET驱动器 DUAL 4-A HIGH-SPEED LOW-SIDE MOSFET DRIVERS WITH ENABLE
UCC27425
DG4
数据手册
TI(德州仪器)
双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable
UCC27425
DRG4
数据手册
TI(德州仪器)
双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable
UCC27425
PE4
数据手册
TI(德州仪器)
双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable
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