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器件3D模型
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ULN2003AIN 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
双极性晶体管
封装:
PDIP-16
描述:
TEXAS INSTRUMENTS ULN2003AIN 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, DIP
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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ULN2003AIN 数据手册 (35 页)
引脚图
在
3 页
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在
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ULN2003AIN 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
16 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
500 mA
封装
PDIP-16
输出接口数
7 Output
输出电压
≤50.0 V
针脚数
16 Position
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
驱动器/包
7
集电极最大允许电流
0.5A
输出电流(Max)
500 mA
工作温度(Max)
105 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
查看数据手册 >
ULN2003AIN 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
19.3 mm
宽度
6.35 mm
高度
4.57 mm
工作温度
-40℃ ~ 105℃ (TA)
查看数据手册 >
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ULN2003AIN 海关信息
ULN2003AIN 数据手册
ULN2003AIN
数据手册
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ULN2003AIN
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ULN2003AIN
产品修订记录
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6 页 / 0.52 MByte
ULN2003AIN
其他参考文件
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1 页 / 0.13 MByte
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TEXAS INSTRUMENTS ULN2003ADR 双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
ULN2003
AN
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TEXAS INSTRUMENTS ULN2003AN 双极晶体管阵列, 达林顿晶体管, NPN, 50 V, 500 mA, DIP
ULN2003
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STMICROELECTRONICS ULN2003A 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP
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D1013TR
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS ULN2003D1013TR 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
ULN2003
ADR2G
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ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR ULN2003ADR2G. 达林顿晶体管 阵列, NPN, X7, 50V, 16-SOIC
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