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ULN2003LVPWR
器件3D模型
0.167
ULN2003LVPWR 数据手册 (26 页)
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ULN2003LVPWR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
16 Pin
电源电压
3.00V (min)
封装
TSSOP-16
输出电流
1 A
针脚数
16 Position
功耗
0.88 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
驱动器/包
7
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
450 mW
电源电压(Max)
5 V
电源电压(Min)
3 V

ULN2003LVPWR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5.1 mm
宽度
4.5 mm
高度
1.05 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)

ULN2003LVPWR 数据手册

TI(德州仪器)
26 页 / 1.52 MByte
TI(德州仪器)
28 页 / 1.71 MByte
TI(德州仪器)
8 页 / 0.2 MByte

ULN2003 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
七达林顿阵列 Seven Darlington array
UTC(友顺)
达林顿晶体管 High Voltage High Current Darlington
ON Semiconductor(安森美)
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  ULN2003ADR  双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  ULN2003AN  双极晶体管阵列, 达林顿晶体管, NPN, 50 V, 500 mA, DIP
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  ULN2003A  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  ULN2003D1013TR  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  ULN2003ADR2G.  达林顿晶体管 阵列, NPN, X7, 50V, 16-SOIC
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