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ULN2004AFWG
器件3D模型
0.15
ULN2004AFWG 数据手册 (17 页)
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ULN2004AFWG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
16 Pin
封装
SOIC-16
通道数
7 Channel
极性
NPN
功耗
650 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
1000
输入电压(Max)
15 V
输入电压(Min)
6 V
输出电压(Max)
50 V
输出电流(Max)
500 mA
直流电流增益(hFE)
1000
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1.2 W

ULN2004AFWG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
长度
9.91 mm
宽度
3.94 mm
高度
1.47 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

ULN2004AFWG 数据手册

Toshiba(东芝)
17 页 / 0.89 MByte
Toshiba(东芝)
11 页 / 0.23 MByte
Toshiba(东芝)
11 页 / 0.36 MByte

ULN2004 数据手册

TI(德州仪器)
高压大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  ULN2004ADR  晶体管阵列
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  ULN2004D1013TR  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  ULN2004A  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  ULN2004AN  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 350 mA, DIP
TI(德州仪器)
Darlington Transistor Arrays, Texas InstrumentsThis array of seven Darlington transistor circuits is able to drive high output current.### 达林顿晶体管驱动器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  ULN2004AID  双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
TI(德州仪器)
高压大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
TI(德州仪器)
高压大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
TI(德州仪器)
高压大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
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