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ULN2803APG(CNHZN)
器件3D模型
0.213
ULN2803APG(CNHZN) 数据手册 (13 页)
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ULN2803APG(CNHZN) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
18 Pin
封装
DIP-18
极性
NPN
功耗
0.76 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
1000
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
40 ℃

ULN2803APG(CNHZN) 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tray

ULN2803APG(CNHZN) 数据手册

Toshiba(东芝)
13 页 / 0.36 MByte
Toshiba(东芝)
1 页 / 0.41 MByte
Toshiba(东芝)
11 页 / 0.17 MByte

ULN2803 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
八路外设驱动阵列 OCTAL PERIPHERAL DRIVER ARRAYS
TI(德州仪器)
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  ULN2803ADWR..  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  ULN2803A  双极晶体管阵列, 达林顿晶体管, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP
TI(德州仪器)
Darlington Transistor Arrays, Texas InstrumentsThis array of seven Darlington transistor circuits is able to drive high output current.### 达林顿晶体管驱动器
Toshiba(东芝)
500mA,50V,8通道的达林顿晶体管
Toshiba(东芝)
ULN2803AFWG
TI(德州仪器)
达林顿晶体管阵列 DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  ULN2803AN  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, DIP
UTC(友顺)
8个达林顿阵列
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