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IRF3710STRRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N 沟道 100 V 200 W 130 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF3710STRRPBF 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页 9 页

IRF3710STRRPBF 数据手册 (10 页)

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IRF3710STRRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

额定功率

200 W

通道数

1 Channel

漏源极电阻

23 mΩ

极性

N-Channel

功耗

3.8 W

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

57A

上升时间

58 ns

输入电容值(Ciss)

3130pF @25V(Vds)

下降时间

47 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

200W (Tc)

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IRF3710STRRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

6.5 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRF3710STRRPBF 符合标准

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