器件3D模型

￥ 0.038

UM6K31NTN 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SC-70-6

描述:

UM6K31N 系列 60 V 250 mA 2.4 Ohm 硅表面贴装 N-沟道 Mosfet - UMT6

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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UM6K31NTN 数据手册 (6 页)

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UM6K31NTN 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SC-70-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

1.7 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

0.15 W

阈值电压

2.3 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

0.25A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

15pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

150 mW

下降时间

28 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

150 mW

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UM6K31NTN 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

2.1 mm

宽度

1.35 mm

高度

0.9 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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UM6K31NTN 符合标准

UM6K31NTN 概述

UM6K31NTN 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

6 页 / 0.14 MByte

UM6K31NTN 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

13 页 / 2.38 MByte

UM6K31NTN 产品封装文件

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

3 页 / 0.07 MByte

UM6K31NTN 产品手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

38 页 / 10.45 MByte

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