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UMH3NTN
器件3D模型
0.025
UMH3NTN 数据手册 (7 页)
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UMH3NTN 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
100 mA
封装
SC-70-6
额定功率
0.15 W
极性
NPN
功耗
150 mW
集电极击穿电压
50.0 V
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
100 @1mA, 5V
最大电流放大倍数
600
额定功率(Max)
150 mW
直流电流增益(hFE)
250
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
增益带宽
250 MHz
耗散功率(Max)
150 mW

UMH3NTN 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
宽度
1.25 mm
高度
0.9 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

UMH3NTN 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
7 页 / 0.56 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
9 页 / 1.26 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.12 MByte

UMH3 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
UMH3 NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 100mA HEF=100~600 R1=4.7KΩ 150mW/0.15W SOT-363/UMT6/SC-88/SC70-6 标记H3 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  UMH3NTN  双极晶体管阵列, 双路, NPN, 50 V, 150 mW, 100 mA, 250 hFE, SOT-363
CJ(长电科技)
双NPN,Vcc=50V,Io=100mA,Pc=150mW
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  UMH3NFHATN  晶体管 双极预偏置/数字, 双路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-353 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
数字晶体管 UMH33NTN SOT-363
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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