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UMZ1NT1G
器件3D模型
0.031
UMZ1NT1G 数据手册 (5 页)
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UMZ1NT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
114 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
200 mA
封装
SC-70-6
针脚数
3 Position
极性
NPN, PNP
功耗
250 mW
集电极击穿电压
50.0 V
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
0.2A
最小电流放大倍数
200 @2mA, 6V
额定功率(Max)
250 mW
直流电流增益(hFE)
200
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
385 mW

UMZ1NT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
宽度
1.25 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

UMZ1NT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
36 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.16 MByte

UMZ1NT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
互补的双通用放大器晶体管 Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor
ON Semiconductor(安森美)
互补的双通用放大器晶体管 Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor
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