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BD678A
0.158
BD678A 数据手册 (12 页)
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BD678A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-4.00 A
封装
TO-126-3
针脚数
3 Position
功耗
40 W
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
最小电流放大倍数
750 @2A, 3V
额定功率(Max)
40 W
直流电流增益(hFE)
750
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
40000 mW

BD678A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
7.8 mm
宽度
2.7 mm
高度
10.8 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BD678A 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
12 页 / 0.36 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
13 页 / 0.35 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
4 页 / 0.07 MByte

BD678 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  BD678  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE
ON Semiconductor(安森美)
达林顿功率晶体管PNP硅 DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP SILICON
Multicomp
MULTICOMP  BD678  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE
Continental Device
TI(德州仪器)
Central Semiconductor
Samsung(三星)
National Semiconductor(美国国家半导体)
Fairchild(飞兆/仙童)
Motorola(摩托罗拉)
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