￥ 0.073

US6K4TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-363-6

描述:

1.8V驱动MOSFET NchNch 1.8V Drive NchNch MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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US6K4TR 数据手册 (5 页)

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US6K4TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SOT-363-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.13 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

1 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

20 V

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

110pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

1 W

下降时间

3 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1000 mW

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US6K4TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

2 mm

宽度

1.7 mm

高度

0.77 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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US6K4TR 符合标准

US6K4TR 海关信息

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

5 页 / 0.06 MByte

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5 页 / 0.26 MByte

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