￥ 0.12

MTB50P03HDLT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR MTB50P03HDLT4G. 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 50A, D2-PAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

MTB50P03HDLT4G 数据手册 (9 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在8 页

MTB50P03HDLT4G 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

MTB50P03HDLT4G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-30.0 V

额定电流

-50.0 A

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.025 Ω

极性

P-Channel

功耗

125 W

阈值电压

1.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±15.0 V

连续漏极电流(Ids)

50.0 A

上升时间

340 ns

输入电容值(Ciss)

4900pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

218 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta), 125W (Tc)

查看数据手册 >

MTB50P03HDLT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.29 mm

宽度

9.65 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

MTB50P03HDLT4G 符合标准

MTB50P03HDLT4G 海关信息

MTB50P03HDLT4G 概述