器件3D模型

￥ 0.084

US6M11TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TSSOP-6

描述:

US6M11 系列 N/ P-沟道 20 V/12 V 1 W 600 mOhm 驱动 MosFet 表面贴装 - TUMT-6

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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US6M11TR 数据手册 (8 页)

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US6M11TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

TSSOP-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.13 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

1 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

20V, 12V

连续漏极电流(Ids)

1.5A/1.3A

输入电容值(Ciss)

110pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

1 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1000 mW

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US6M11TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

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US6M11TR 符合标准

US6M11TR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

8 页 / 0.19 MByte

US6M11TR 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

5 页 / 0.26 MByte

US6M11 数据手册

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