US6M1TR

￥ 0.001

US6M1TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-363-6

描述:

N-沟道 + P-沟道 2 W 30 V/-20 V 280 mOhm 表面贴装 4 + 2.5 V 驱动 MosFet -TUMT-6

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

US6M1TR 数据手册 (8 页)

US6M1TR 数据手册 (8 页)

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US6M1TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电流

1.40 A

封装

SOT-363-6

通道数

2 Channel

针脚数

6 Position

漏源极电阻

170 mΩ

极性

N-Channel, Dual N-Channel

功耗

1 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

30V, 20V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

1.40 A, 1.00 A

上升时间

6.00 ns

输入电容值(Ciss)

70pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

1 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

1 W

查看数据手册 >

US6M1TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

2 mm

宽度

1.7 mm

高度

0.77 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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US6M1TR 符合标准

US6M1TR 概述

US6M1TR 数据手册

US6M1TR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

8 页 / 0.09 MByte

US6M1TR 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

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US6M1TR 其他参考文件

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

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N-沟道 + P-沟道 2 W 30 V/-20 V 280 mOhm 表面贴装 4 + 2.5 V 驱动 MosFet -TUMT-6

US6M11TR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

US6M11 系列 N/ P-沟道 20 V/12 V 1 W 600 mOhm 驱动 MosFet 表面贴装 - TUMT-6

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