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IPP60R099CPA
4.367
IPP60R099CPA 数据手册 (10 页)
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IPP60R099CPA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
99 mΩ
极性
N-Channel
功耗
255 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
连续漏极电流(Ids)
31A
上升时间
5 ns
输入电容值(Ciss)
2800pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
255 W
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

IPP60R099CPA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
高度
15.65 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IPP60R099CPA 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.31 MByte

IPP60R099 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPP60R099CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPP60R099CPXKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPP60R099C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 600 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPP60R099C6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 600 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 600 V, 0.089 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 3.5 V
Infineon(英飞凌)
600V,37.9A,99mΩ,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPP60R099P7 TO-220-3
Infineon(英飞凌)
N沟道 600V 31A
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