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V8P10-M3/86A 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

肖特基二极管

封装:

TO-277

描述:

高电流密度表面贴装Trench MOS势垒肖特基整流器 High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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V8P10-M3/86A 数据手册 (5 页)

封装尺寸在4 页

典型应用电路图在1 页

V8P10-M3/86A 数据手册 (5 页)

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V8P10-M3/86A 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-277

针脚数

3 Position

正向电压

0.68 V

热阻

3℃/W (RθJL)

最大反向电压(Vrrm)

100 V

正向电流

8 A

最大正向浪涌电流

150 A

正向电压(Max)

680 mV

正向电流(Max)

8 A

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

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V8P10-M3/86A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

4.35 mm

宽度

6.15 mm

高度

1.2 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃

最小包装数量

1500

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V8P10-M3/86A 符合标准

V8P10-M3/86A 海关信息

V8P10-M3/86A 概述

V8P10-M3/86A 数据手册

VISHAY（威世）

5 页 / 0.11 MByte

V8P10-M3/86A 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

13 页 / 0.11 MByte

V8P10-M3/86A 产品修订记录

VISHAY（威世）

2 页 / 0.29 MByte

V8P10M386 数据手册

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TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，高达 20A，Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor

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