￥ 0.614

VF30100S-E3/4W 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

肖特基二极管

封装:

TO-220-3

描述:

VISHAY VF30100S-E3/4W 肖特基二极管, 30A, 100V, ITO-220AB-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

VF30100S-E3/4W 数据手册 (5 页)

封装尺寸在4 页

典型应用电路图在1 页

VF30100S-E3/4W 数据手册 (5 页)

查看文档

或点击图片查看大图

VF30100S-E3/4W 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

正向电压

0.78 V

热阻

4℃/W (RθJC)

正向电流

30 A

最大正向浪涌电流

250 A

正向电压(Max)

910 mV

正向电流(Max)

30 A

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

工作结温(Max)

150 ℃

查看数据手册 >

VF30100S-E3/4W 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Each

长度

10.26 mm

宽度

4.83 mm

高度

15.24 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

VF30100S-E3/4W 符合标准

VF30100S-E3/4W 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

5 页 / 0.13 MByte

VF30100S-E3/4W 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

5 页 / 0.14 MByte

VF30100SE34 数据手册

VF30100S-E3/4W 数据手册

VISHAY（威世）

高压Trench MOS势垒肖特基整流器 High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VF30100S-E3/4W 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY VF30100S-E3/4W 肖特基二极管, 30A, 100V, ITO-220AB-3

VF30100S-E3/45 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.39 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A

VF30100S-E3/4W 数据手册

General Semiconductor

VF30100S-E3-4W 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

高压Trench MOS势垒肖特基整流器 High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号