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VN0106N3
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VN0106N3 数据手册 (4 页)
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VN0106N3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-92
漏源极电阻
3.00 Ω
极性
N-Channel
功耗
1.00 W
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
350 mA

VN0106N3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Bulk
工作温度
-55℃ ~ 150℃

VN0106N3 数据手册

Supertex(超科)
4 页 / 0.45 MByte
Supertex(超科)
5 页 / 0.57 MByte

VN0106 数据手册

Supertex(超科)
Microchip(微芯)
晶体管, MOSFET, N沟道, 350 mA, 60 V, 2.5 ohm, 10 V, 2.4 V
Microchip(微芯)
Supertex(超科)
Supertex(超科)
Microchip(微芯)
Supertex(超科)
Microchip(微芯)
Supertex(超科)
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