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VN330SPTR-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

电源管理

封装:

PowerSO-10

描述:

STMicroelectronics智能高侧开关提供一个或多个通道 MOSFET 输出开关，用于驱动电感、电容和电阻负载。Multipower BCD 技术 0.5A 四个独立输出电源电压范围：9.5 至 35V 内部电流限制非耗散过电流保护热关闭带磁滞的欠压闭锁针对欠压、过热和过电流的诊断输出外部异步重置输入针对过电流可预设延迟 ### 电源和负载开关，Toshiba集成高侧和低侧智能电源开关电路包含很多功能性和保护特征，如过电流、过电压、短路、断路负载、过温度和电源逆转。这些高度集成设备利用低接通电阻 MOSFET 晶体管，以最小化功耗并保持高效率。

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VN330SPTR-E 数据手册 (15 页)

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VN330SPTR-E 数据手册 (15 页)

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VN330SPTR-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

10 Pin

工作电压

36.0V (max)

封装

PowerSO-10

输出接口数

4 Output

输出电流

700 mA

供电电流

6 mA

针脚数

10 Position

输出电流(Max)

700 mA

输出电流(Min)

0.7 A

输入数

4 Input

下降时间

20 µs

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

电源电压

10V ~ 36V

电源电压(Max)

36 V

电源电压(Min)

10 V

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VN330SPTR-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

7.6 mm

宽度

9.5 mm

高度

3.65 mm

工作温度

-40℃ ~ 125℃ (TJ)

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VN330SPTR-E 符合标准

VN330SPTR-E 海关信息

VN330SPTR-E 概述