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VNB35N07 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

FET驱动器

封装:

TO-263-3

描述:

？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VNB35N07 数据手册 (13 页)

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VNB35N07 数据手册 (13 页)

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VNB35N07 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

输出接口数

1 Output

供电电流

0.25 mA

漏源极电阻

28.0 mΩ

功耗

125000 mW

漏源击穿电压

70.0 V

连续漏极电流(Ids)

35.0 A

输出电流(Max)

25 A

输出电流(Min)

25 A

耗散功率(Max)

125000 mW

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VNB35N07 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tube

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VNB35N07 符合标准

VNB35N07 海关信息

VNB35N07 概述

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