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VNB35N07-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

FET驱动器

封装:

TO-263-3

描述:

â ???? OMNIFETâ ???? ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET âOMNIFETâ: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VNB35N07-E 数据手册 (13 页)

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VNB35N07-E 数据手册 (13 页)

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VNB35N07-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

额定功率

125 W

输出接口数

1 Output

输出电流

35 A

供电电流

0.25 mA

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

28.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

125 W

漏源击穿电压

70.0 V

连续漏极电流(Ids)

35.0 A

输入电压(Max)

18 V

输出电流(Max)

25 A

输出电流(Min)

25 A

输入数

1 Input

耗散功率(Max)

125000 mW

输入电压

18 V

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VNB35N07-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

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VNB35N07-E 符合标准

VNB35N07-E 海关信息

VNB35N07-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.23 MByte

VNB35N07-E 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.22 MByte

VNB35N07-E 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

5 页 / 0.04 MByte

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