￥ 9.035

VND5N0713TR 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

开关电源

封装:

TO-252-3

描述:

OMNIFET ：完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VND5N0713TR 数据手册 (24 页)

原理图在5 页

VND5N0713TR 数据手册 (24 页)

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VND5N0713TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

70.0 V

额定电流

5.00 A

封装

TO-252-3

输出接口数

1 Output

漏源极电阻

0.2 Ω

极性

N-Channel

功耗

60 W

阈值电压

800 mV

漏源极电压(Vds)

70 V

漏源击穿电压

70.0 V

连续漏极电流(Ids)

5.00 A

输出电流(Max)

3.5 A

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VND5N0713TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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VND5N0713TR 符合标准

VND5N0713TR 海关信息

VND5N0713TR 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

24 页 / 0.58 MByte

VND5N0713TR 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

37 页 / 0.7 MByte

VND5N0713 数据手册

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OMNIFET ：完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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