￥ 0.22

VND7N04-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

FET驱动器

封装:

TO-252-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 42 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

VND7N04-E 数据手册 (18 页)

封装尺寸在13 页 14 页 15 页

原理图在3 页

VND7N04-E 数据手册 (18 页)

查看文档

或点击图片查看大图

VND7N04-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

输出接口数

1 Output

输出电流

11 A

供电电流

0.25 mA

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.14 Ω

极性

N-Channel

功耗

60 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

42 V

漏源击穿电压

42.0 V

连续漏极电流(Ids)

7.00 A

输入电压(Max)

18 V

输出电流(Max)

4 A

输出电流(Min)

4 A

输入数

1 Input

工作温度(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

60000 mW

输入电压

18 V

查看数据手册 >

VND7N04-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

VND7N04-E 符合标准

VND7N04-E 海关信息

VND7N04-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

18 页 / 0.58 MByte

VND7N04-E 产品设计参考手册

ST Microelectronics（意法半导体）

4 页 / 0.08 MByte

VND7N04-E 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

2 页 / 0.03 MByte

VND7N04-E 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

5 页 / 0.04 MByte

VND7N04 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

“ OMNIFET ”完全autoprotected功率MOSFET "OMNIFET"Fully autoprotected power MOSFET

VND7N04-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 42 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V

VND7N04TR-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

VND7N04 单通道低边自保护 42 V 7 A 0.14 Ohm 功率MOSFET -TO-252-3

VND7N0413TR 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

VND7N04系列 N沟道 42 V 0.14 Ohm 自保护功率MOSFET-TO-252-3

VND7N04-1-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

VND7N04-1 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

“ OMNIFET ”完全autoprotected功率MOSFET "OMNIFET"Fully autoprotected power MOSFET

VND7N04_09 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

“ OMNIFET ”完全autoprotected功率MOSFET "OMNIFET"Fully autoprotected power MOSFET

VND7N04TR-E 数据手册

muRata（村田）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号