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VND7NV04-1
5.062
VND7NV04-1 数据手册 (37 页)
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VND7NV04-1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-251-3
输出接口数
1 Output
漏源极电阻
60.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
60.0 W
漏源击穿电压
40.0 V
连续漏极电流(Ids)
6.00 A
输出电流(Max)
6 A

VND7NV04-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

VND7NV04-1 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
37 页 / 0.44 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
35 页 / 0.84 MByte

VND7 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  VND7NV04TR-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 45 V, 0.06 ohm, 5 V, 500 mV
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  VND7NV04-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 55 V, 60 mohm, 5 V, 2.5 V
ST Microelectronics(意法半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 42 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
VND7N04 单通道 低边 自保护 42 V 7 A 0.14 Ohm 功率MOSFET -TO-252-3
ST Microelectronics(意法半导体)
VND7140 系列 28 V 8 A 140 mOhm 双通道 高边 驱动器 - PowerSSO-16
ST Microelectronics(意法半导体)
电源开关-驱动器-1:1-N-通道-21A-PowerSSO-16
ST Microelectronics(意法半导体)
功率电子开关 VND7030AJTR PowerSSO-16
ST Microelectronics(意法半导体)
VND7040AJ 系列 28 V 40 mOhm 双通道 高边 驱动器 - PowerSSO-16
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  VND7140AJTR-E  驱动器, MOSFET, 高压侧, 4V-28V电源, 40µs延迟, POWERSSO-16
ST Microelectronics(意法半导体)
功率电子开关 VND7020AJTR PowerSSO-16
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