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VND830SP-E
器件3D模型
1.308
VND830SP-E 数据手册 (28 页)
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VND830SP-E 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
10 Pin
电源电压
36.0V (max)
封装
SOIC-10
输出接口数
2 Output
输出电流
6 A
供电电流
0.012 mA
针脚数
10 Position
功耗
73.5 W
输出电流(Max)
6 A
输入数
2 Input
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
73500 mW
电源电压
5.5V ~ 36V
电源电压(Max)
36 V
电源电压(Min)
5.5 V

VND830SP-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

VND830SP-E 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
28 页 / 0.45 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.04 MByte

VND830 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
双通道高侧驱动器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  VND830SP-E  双路驱动器芯片, 高压侧, 5.5V-36V电源, 9A输出, 30µs延迟, SOIC-10
ST Microelectronics(意法半导体)
VND830SP-E系列 36 V 7 mA 双通道 高边驱动器 - PowerSO-10
ST Microelectronics(意法半导体)
VND830ASP 系列 36 V 6A 双通道 高边 固态 继电器-POWERSO-10
ST Microelectronics(意法半导体)
双通道高侧驱动器 Double channel high-side driver
ST Microelectronics(意法半导体)
电源负载分配开关, 高压侧, 13V, 2输出, 9A, 0.06ohm, SOIC-16
ST Microelectronics(意法半导体)
马达/运动/点火控制器和驱动器 DBLE CH HI-SIDE DRVR
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
IC,高侧电源开关,STMicroelectronics高侧开关可在电阻、电感和电容式接地负载中安全驱动高电流。 设计用于在恶劣的汽车环境中工作,它们需要坚固、低接通电阻电源开关和准确模拟电路,用于诊断、保护和控制功能。### 智能电源开关,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
功率电子开关 VND830ETR-E SO-16-300mil
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