VNP10N07-E

￥ 1.659

VNP10N07-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS VNP10N07-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 70 V, 100 mohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

VNP10N07-E 数据手册 (11 页)

原理图在1 页

VNP10N07-E 数据手册 (11 页)

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VNP10N07-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

额定功率

50 W

输出接口数

1 Output

输出电流

120 A

供电电流

0.25 mA

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.1 Ω

极性

N-Channel

功耗

50 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

70 V

漏源击穿电压

70.0 V

连续漏极电流(Ids)

5.00 A

输入电压(Max)

18 V

输出电流(Max)

7 A

输入数

1 Input

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

输入电压

18 V

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VNP10N07-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

15.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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VNP10N07-E 符合标准

VNP10N07-E 海关信息

VNP10N07-E 概述

VNP10N07-E 数据手册

VNP10N07-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

11 页 / 0.36 MByte

VNP10N07-E 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.18 MByte

VNP10N07-E 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

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