￥ 4.107

VNV35NV04 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

FET驱动器

封装:

PowerSO-10

描述:

OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VNV35NV04 数据手册 (19 页)

原理图在1 页

VNV35NV04 数据手册 (19 页)

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VNV35NV04 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

12 Pin

封装

PowerSO-10

输出接口数

1 Output

输出电流

30 A

漏源极电阻

10.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

125 W

漏源击穿电压

40.0 V

连续漏极电流(Ids)

30.0 A

输出电流(Max)

30 A

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

40 ℃

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VNV35NV04 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tube

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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VNV35NV04 符合标准

VNV35NV04 海关信息

VNV35NV04 概述

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