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VNV35NV04TR-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

FET驱动器

封装:

PowerSO-10

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VNV35NV04TR-E 数据手册 (27 页)

引脚图在5 页Hot

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原理图在5 页

VNV35NV04TR-E 数据手册 (27 页)

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VNV35NV04TR-E 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

12 Pin

封装

PowerSO-10

输出接口数

1 Output

输出电流

30 A

供电电流

0.1 mA

漏源极电阻

10.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

125 W

漏源击穿电压

40.0 V

连续漏极电流(Ids)

30.0 A

输出电流(Max)

30 A

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VNV35NV04TR-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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VNV35NV04TR-E 符合标准

VNV35NV04TR-E 海关信息

VNV35NV04TR-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

27 页 / 0.54 MByte

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