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VRF151G 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

晶体管

封装:

SMD-4

描述:

射频功率MOSFET垂直 RF POWER VERTICAL MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VRF151G 数据手册 (4 页)

封装尺寸在4 页

VRF151G 数据手册 (4 页)

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VRF151G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

175 MHz

引脚数

5 Pin

封装

SMD-4

功耗

300000 mW

输出功率

300 W

增益

16 dB

测试电流

500 mA

输入电容值(Ciss)

375pF @150V(Vds)

工作温度(Max)

200 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

300000 mW

额定电压

170 V

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VRF151G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Box

材质

Silicon

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VRF151G 符合标准

VRF151G 海关信息

VRF151G 数据手册

Microsemi（美高森美）

4 页 / 0.1 MByte

VRF151G 其他数据使用手册

Microsemi（美高森美）

5 页 / 0.19 MByte

VRF151G 产品手册

Microsemi（美高森美）

40 页 / 4.07 MByte

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