Datasheet 搜索 > 齐纳二极管 > Diotec Semiconductor > ZMY24 数据手册 > ZMY24 数据手册 3/3 页
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ZMY24 数据手册 - Diotec Semiconductor
制造商:
Diotec Semiconductor
分类:
齐纳二极管
封装:
DO-213AB
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
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ZMY24数据手册
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ZMY1, ZMY3.0G ... ZMY9.1G, ZMY10 ... ZMY200
1
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Mounted on P.C. board with 50 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3
120
100
80
60
40
20
0
[%]
P
tot
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1
ZMY10...200
ZMY3.0G...9.1G
0 2 3
4 5
6
7
8 10
[V]
V
Z
[mA]
50
150
0
100
I
Z
3,0
3,3
3,6
3,9
4,3
4,7
5,1
5,6
6,2
6,8
7,5
8,2
9,1
I = 100 mA
Z
I = 50 mA
Z
Typical breakdown characteristic
Typische Abbruchspannung
– tested with pulses
– gemessen mit Impulsen
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
30a-(1a-1.1v)
10 18 24
30 36 43 51
62
56
68 75
82
91 100
T = 25°C
j
I
ZT
I
Zmax
Typical breakdown characteristic
Typische Abbruchspannung
– tested with pulses
– gemessen mit Impulsen
[pF]
[V]
C
j
V
Z
T = 25°C
f = 1.0 MHz
j
V = 0V
R
Junction capacitance vs. zener voltage (typical)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Zenerspg. (typ.)
ZMY10...200
ZMY3.0G...9.1G
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