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ZVN3306FTC
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ZVN3306FTC 数据手册 (3 页)
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ZVN3306FTC 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
150 mA
封装
SOT-23-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
5 Ω
极性
N-Channel
功耗
330 mW
输入电容
35.0 pF
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
150 mA
上升时间
4 ns
输入电容值(Ciss)
35pF @18V(Vds)
下降时间
4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
330mW (Ta)

ZVN3306FTC 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.04 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.02 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZVN3306FTC 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
3 页 / 0.09 MByte

ZVN3306 数据手册

Diodes(美台)
ZVN3306A 系列 60 V 5 Ohm N-沟道 增强模式 垂直 DMOS FET- TO-92
Diodes(美台)
ZVN3306FTA 编带
Diodes(美台)
DIODES INC.  ZVN3306F  晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.4 V
Zetex
ZVN3306FTA N沟道MOSFET 60V 150mA/0.15A SOT-23/SC-59 marking/标记 MC 高速开关/低导通电阻
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc ### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes(美台)
Vishay Semiconductor(威世)
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