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ZVN3310ASTZ 数据手册 - Diodes（美台）
制造商:
Diodes（美台）
封装:
TO-92-3
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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技术参数、封装参数在P1P2
电气规格在P1P2
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ZVN3310ASTZ数据手册
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TYPICAL CHARACTERISTICS
Transconductance v drain current
ID- Drain Current (Amps
)
g
f
s
-T
ransconductance (mS)
g
f
s
-T
rans
c
o
n
ducta
n
ce (
m
S)
0
80
0
40
120
160
VDS= 25V
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
0
80
0
40
120
160
VDS= 25V
24 681012
VDS-Drain Source Voltage (Volts)
Capacitance v drain-source voltage
C-
Cap
a
c
ita
nce (pF)
Coss
Ciss
Crss
0
10 20
30
40 50
0
30
20
10
40
50
Q-Charge (nC)
Transconductance v gate-source voltage
V
GS
-Gate Source Voltage (Volts)
V
G
S
-Gate Source Voltage (V
olts)
Gate charge v gate-source voltage
0
10
8
6
2
0
4
12
14
16
VDS=
20V
ID=0.6A
50V
80V
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
ZVN3310A
3-380
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