￥ 0.188

ZVN4206GTA 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

ZVN4206GTA 编带

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

ZVN4206GTA 数据手册 (6 页)

封装尺寸在5 页

ZVN4206GTA 数据手册 (6 页)

查看文档

或点击图片查看大图

ZVN4206GTA 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

1.00 A

封装

TO-261-4

漏源极电阻

1.50 Ω

极性

N-Channel

功耗

2 W

输入电容

100 pF

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

1.00 A

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

100pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

查看数据手册 >

ZVN4206GTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.7 mm

宽度

3.7 mm

高度

1.65 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

ZVN4206GTA 符合标准

ZVN4206GTA 数据手册

Diodes（美台）

6 页 / 0.77 MByte

ZVN4206GTA 其他数据使用手册

Diodes（美台）

183 页 / 0.63 MByte

ZVN4206GTA 其他参考文件

Diodes（美台）

1 页 / 0.14 MByte

ZVN4206 数据手册

ZVN4206A 数据手册

Diodes（美台）

ZVN4206A 系列 60 V 1 Ohm N 沟道增强模式垂直 DMOS FET - TO-92

ZVN4206GTA 数据手册

Diodes（美台）

ZVN4206GTA 编带

ZVN4206AV 数据手册

Diodes（美台）

三极管

ZVN4206GVTA 数据手册

Diodes（美台）

ZVN4206G 系列 60 V 1 Ohm N 沟道增强模式垂直 DMOS FET SOT-223

Diodes（美台）

Zetex

Diodes（美台）

Diodes（美台）

Vishay Semiconductor（威世）

DIODES INC. ZVN4206G 晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 60 V, 1.5 ohm, 10 V, 3 V

ZVN4206GTA 数据手册

Zetex

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号