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HFA3127B
器件3D模型
4.92
HFA3127B 数据手册 (14 页)
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HFA3127B 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
16 Pin
额定电压(DC)
12.0 V
额定电流
65.0 mA
封装
SOIC-16
极性
NPN
功耗
150 mW
击穿电压(集电极-发射极)
12 V
集电极最大允许电流
0.065A
最小电流放大倍数
40 @10mA, 2V
额定功率(Max)
150 mW
耗散功率(Max)
150 mW

HFA3127B 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
工作温度
150℃ (TJ)

HFA3127B 数据手册

Intersil(英特矽尔)
14 页 / 0.4 MByte

HFA3127 数据手册

Intersil(英特矽尔)
超高频晶体管阵列 Ultra High Frequency Transistor Array
Intersil(英特矽尔)
Intersil晶体管之间完全隔离 ### 双极晶体管,Intersil
Intersil(英特矽尔)
超高频晶体管阵列 Ultra High Frequency Transistor Arrays
Intersil(英特矽尔)
超高频晶体管阵列 Ultra High Frequency Transistor Arrays
Intersil(英特矽尔)
Intersil(英特矽尔)
Renesas Electronics(瑞萨电子)
晶体管阵列,Intersil晶体管之间完全隔离### 双极晶体管,Intersil
Renesas Electronics(瑞萨电子)
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16N MILEL
Intersil(英特矽尔)
超高频晶体管阵列 Ultra High Frequency Transistor Arrays
Intersil(英特矽尔)
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