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ZVN4306A
0.483
ZVN4306A 数据手册 (6 页)
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ZVN4306A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
1.10 A
封装
TO-92-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.45 Ω
极性
N-Channel
功耗
850 mW
阈值电压
3 V
输入电容
350 pF
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
1.10 A
上升时间
25 ns
输入电容值(Ciss)
350pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
850 mW
下降时间
16 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
850 mW

ZVN4306A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
长度
4.77 mm
宽度
2.41 mm
高度
4.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

ZVN4306A 数据手册

Diodes(美台)
6 页 / 0.35 MByte
Diodes(美台)
183 页 / 0.63 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.08 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.14 MByte

ZVN4306 数据手册

Diodes(美台)
ZVN4306A 系列 60 V 0.33 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET-TO-92
Diodes(美台)
N沟道 60V 2.1A
Diodes(美台)
N沟道 60V 2.1A
Diodes(美台)
N沟道 60V 1.1A
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc ### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes(美台)
Diodes(美台)
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